mos管怎么測試好壞

用萬能表檢測mos管好壞的方法：

將萬用表兩個(gè)表筆分別搭接在其他兩個(gè)極：給B極與任意一個(gè)極接一個(gè)10千歐姆電阻 ，電阻先不要接上
，把表筆分別放在兩級(jí)，電阻這時(shí)再接觸 ，指針擺動(dòng)越大證明該管拆兆敗子放大系數(shù)就越大，也就是說該管子就越好
，反之越差。

接電阻的那一端為C極；若是紅表筆為P管，黑表筆旅顫為N管 。凡是不符合以上測量數(shù)據(jù)的三極管都是壞的
。

萬用表的相關(guān)要求規(guī)定：

1、指針表讀取精度較差 ，但指針擺動(dòng)的過程比較直觀
，其擺動(dòng)速度幅度有時(shí)也能比較客觀地反映了被測量的大?。ū热鐪y電視機(jī)數(shù)據(jù)總線(SDL)在傳送數(shù)據(jù)時(shí)的輕微抖動(dòng)）；數(shù)字表讀數(shù)直觀，但數(shù)字變化的過程看起來很雜亂 ，不太容易觀猜絕看。

2 、數(shù)字萬用表的準(zhǔn)確度是測量結(jié)果中系統(tǒng)誤差與隨機(jī)誤差的綜合 。它表示測量值與真值的一致程度
，也反映測量誤差的大小。一般講準(zhǔn)確度愈高，測量誤差就愈小 ，反之亦然
。

3
、指針表內(nèi)一般有兩塊電池
，一塊低電壓的1.5V,一塊是高電壓的9V或15V,其黑表筆相對(duì)紅表筆來說是正端。數(shù)字表則常用一塊6V或9V的電池 。在電阻檔，指針表的表筆輸出電流相對(duì)數(shù)字表來說要大很多 ，用R×1Ω檔可以使揚(yáng)聲器發(fā)出響亮的“噠 ”聲
，用R×10kΩ檔甚至可以點(diǎn)亮發(fā)光二極管
。

MOS管的好壞如何判斷

用萬用表R×1k檔或R×10k檔，測量場效應(yīng)管任意兩腳之間的正、反向電阻值。正常時(shí) ，除漏極與源極的正向電阻值較小外，其余各引腳之間（G與D 、G與S）的正、反向電阻值均應(yīng)為無窮大 。若測得某兩極之間的電阻值接昌晌近0Ω
，則說明該管已擊穿損壞
。

另外，還可以用觸發(fā)柵極（P溝橋好道場效應(yīng)晶敏迅鉛體管用紅表筆觸發(fā) ，N溝道場效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā)）的方法來判斷場應(yīng)管是否損壞。若觸發(fā)有效（觸發(fā)柵極G后
，D
、S極之間的正、反向電阻均變?yōu)?），則可確定該管性能良好 。

MOS管用數(shù)字萬用表怎么測其好壞及引腳？

用數(shù)字萬用表測量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場效應(yīng)管為例
。

一 、先確定MOS管的引腳：

1
、先對(duì)MOS管放電 ，將三個(gè)腳短路即可；

1、首先找出場效應(yīng)管的D極（漏極）。對(duì)于TO-252 、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場效應(yīng)管
，它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的，故我們可用數(shù)字萬用表的二極管檔測量管子的各個(gè)引腳 ，哪個(gè)引腳與散熱片相連
，哪個(gè)引腳就是D極 。

2
、找到D極后，將萬用表調(diào)至二極管檔；

3、用黑表筆接觸管子的D極 ，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個(gè)引腳
。若接觸到某個(gè)引腳時(shí)
，萬用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降，那么該引腳即為S極（源極） ，剩下的那個(gè)引腳即為G極（柵極）。

二 、MOS管好壞的測量：

1
、當(dāng)把紅表筆放在S極上，黑表筆放在D極上
，可以測出來這個(gè)導(dǎo)通壓降，一般在0.5V左右為正常；

2、G腳測量 ，需要先對(duì)G極充下電
，把紅表筆放在G極，黑表筆放在S極；

3 、再次把紅表檔行純筆放在S極上 ，黑表筆放在D極上
，可以測出來這個(gè)放大壓降，一般在0.3V左右為正常；

擴(kuò)展資料

MOS管的主要參數(shù)

1
、開啟電壓VT

開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；

標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管 ，VT約為3～6V；通過工藝上的改進(jìn)
，可以使MOS管的VT值降到2～3V 。

2、直流輸入電阻RAH

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示

MOS管的RAH 可以很容易地超過1010Ω。

3. 、漏源擊穿電壓BVDS

在VAH =0（增強(qiáng)型）的條件下，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中 ，其溝道長度較短
，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長度為零 ，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后
，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引 ，到達(dá)漏區(qū)
，產(chǎn)生大的ID
。

4、柵源擊穿電壓BVAH

在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VAH  ，稱為柵源擊穿電壓BVAH 。

5
、低頻跨導(dǎo)gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下
，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)；

gm反映了柵源電行咐壓對(duì)漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6、導(dǎo)通電阻RON

導(dǎo)通電阻RON說明帶姿了VDS對(duì)ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū)
，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中
，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似

·對(duì)一般的MOS管而言 ，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

7 、極間電容

三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CAH 
、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CAH 和CGD約為1～3pF，CDS約在0.1～1pF之間

8、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的 。·由于它的存在
，就使一個(gè)放大器即便在沒有信號(hào)輸人時(shí)，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示 ，它的單位為分貝（dB）
。這個(gè)數(shù)值越小
，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù)

場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小

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