mos管用數(shù)字萬用表怎么測(cè)其好壞及引腳？

用數(shù)字萬用表測(cè)量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例 。

一、先確定MOS管的引腳：

1 、先對(duì)MOS管放電 ，將三個(gè)腳短路即可；

1
、首先找出場(chǎng)效應(yīng)管的D極（漏極）
。對(duì)于TO-252、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場(chǎng)效應(yīng)管
，它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的，故我們可用數(shù)字萬用表的二極管檔測(cè)量管子的各個(gè)引腳 ，哪個(gè)引腳與散熱片相連
，哪個(gè)引腳就是D極。

2 、找到D極后，將萬用表調(diào)至二極管檔；

3
、用黑表筆接觸管子的D極 ，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個(gè)引腳 。若接觸到某個(gè)引腳時(shí)，萬用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降
，那么該引腳即為S極（源極），剩下的那個(gè)引腳即為G極（柵極）
。

二、MOS管好壞的測(cè)量：

1 、當(dāng)把紅表筆放在S極上 ，黑表筆放在D極上
，可以測(cè)出來這個(gè)導(dǎo)通壓降，一般在0.5V左右為正常；

2、G腳測(cè)量 ，需要先對(duì)G極充下電
，把紅表筆放在G極，黑表筆放在S極；

3
、再次把紅表筆放在S極上 ，黑表筆放在D極上
，可以測(cè)出來這個(gè)放大壓降，一般在0.3V左右為正常；

擴(kuò)展資料

MOS管的主要參數(shù)

1、開啟電壓VT

開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；

標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管 ，VT約為3～6V；通過工藝上的改進(jìn)
，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2 、直流輸入電阻RAH

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示

MOS管的RAH可以很容易地超過1010Ω 。

3.
、漏源擊穿電壓BVDS

在VAH=0（增強(qiáng)型）的條件下，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中 ，其溝道長(zhǎng)度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)
，使溝道長(zhǎng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通 ，穿通后
，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引 ，到達(dá)漏區(qū)
，產(chǎn)生大的ID。

4、柵源擊穿電壓BVAH

在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VAH ，稱為柵源擊穿電壓BVAH
。

5 、低頻跨導(dǎo)gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下
，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)；

gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6
、導(dǎo)通電阻RON

導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對(duì)ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū)
，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下
，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似

·對(duì)一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

7、極間電容

三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CAH 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CAH和CGD約為1～3pF ，CDS約在0.1～1pF之間

8
、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的。·由于它的存在
，就使一個(gè)放大器即便在沒有信號(hào)輸人時(shí)，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示 ，它的單位為分貝（dB） 。這個(gè)數(shù)值越小
，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小

怎么用萬用表測(cè)量MOS管的好壞?

以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管5N60C為例 ，來詳細(xì)介紹一下具體的測(cè)量方法
。

1.N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管好壞的測(cè)量方法

2.用數(shù)字萬用表二極管檔正向測(cè)量5N60C的D-S兩極。

測(cè)量5N60C好壞時(shí)
，首先將萬用表量程開關(guān)調(diào)至二極管檔，將5N60C的G極懸空 ，用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極
，若是好的管子，萬用表顯示為“OL ” ，即溢出（見上圖） 。

3.用數(shù)字萬用表二極管檔反向測(cè)量5N60C的D-S兩極
。

然后調(diào)換紅黑表筆，再去測(cè)量D-S兩極
，則萬用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降（見上圖）。

若MOS場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞，用二極管檔測(cè)量時(shí) ，萬用表顯示的讀數(shù)接近于零 。

4.用萬用表的二極管檔給5N60C柵源兩極（G-S兩極）之間的電容充電
。對(duì)于N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管充電時(shí)
，紅表筆應(yīng)接管子的G極，黑表筆接管子的S極。

在測(cè)量完5N60C的D-S兩極 ，并且確實(shí)是好的之后
，然后用二極管檔給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電 。

由于MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻在GΩ級(jí)（GΩ讀作吉?dú)W，1GΩ＝1000MΩ） ，數(shù)字萬用表二極管檔的開路測(cè)量電壓約為2.8～3V
，故用二極管檔的測(cè)量電壓給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后，可以使MOS場(chǎng)效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小 ，故用這個(gè)方法可以測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞
。

5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后
，用電阻檔實(shí)測(cè)D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω。

6.用萬用表電阻檔實(shí)測(cè)5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω 。

上面為一個(gè)好的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量數(shù)據(jù)。對(duì)于P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法與上述測(cè)量一樣，只是萬用表表筆需要調(diào)換一下極性
。

擴(kuò)展資料：

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū) 。在多數(shù)情況下
，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能
。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

場(chǎng)效應(yīng)管（FET） ，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化 。FET的增益等于它的transconductance
，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比
。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管 。

場(chǎng)效應(yīng)管通過投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流
。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體 ，所以FET管的GATE電流非常小。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體 。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管
，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）
。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

電路中MOS管的好壞該如何判斷？

一.紅左 ，黑中、右無窮大黑左
，紅中 、右無窮大紅中，黑右無窮大；黑中紅右顯示530（左右） 。其實(shí)場(chǎng)效應(yīng)管三極管很好判斷：有字面朝上從左到右依次為：G
、D、S ，有些管相反：S 、D、G。我修顯示器
、主板、電源都是從上面的方法測(cè)絕對(duì)沒問題
。你不信隨便拆塊板看一看
，場(chǎng)效應(yīng)管在電路圖板的布局及應(yīng)VMOS大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的檢測(cè)。

二．1判別各電極與管型 。用萬用表R×100檔，測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管任意兩引腳之間的正 、反向電阻值
。其中一次測(cè)量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆 ，這時(shí)兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D，而另一引腳為柵極G。再用萬用表R×10k檔測(cè)量?jī)梢_（漏極D與源極S）之間的正
、反向電阻值 。正常時(shí)
，正向電阻值為2kΩ左右，反向電阻值大于500kΩ
。在測(cè)量反向電阻值時(shí) ，紅表筆所接引腳不動(dòng)
，黑表筆脫離所接引腳后，先與柵極G觸碰一下 ，然后再去接原引腳
，觀察萬用表讀數(shù)的變化情況。若萬用表讀數(shù)由原來較大阻值變?yōu)?，則此紅表筆所接的即是源極S ，黑表筆所接為漏極D 。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效
，說明該管為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管
。若萬用表讀數(shù)仍為較大值，則黑表筆接回原引腳不變 ，改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳
，若此時(shí)萬用表讀數(shù)由原來阻值較大變?yōu)?，則此時(shí)黑表筆接的為源極S ，紅表筆接的是漏極D。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效，說明該管為P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 。

2．判別其好壞
。用萬用表R×1k檔或R×10k檔
，測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管任意兩腳之間的正、反向電阻值。正常時(shí)，除漏極與源極的正向電阻值較小外 ，其余各引腳之間（G與D 、G與S）的正
、反向電阻值均應(yīng)為無窮大 。若測(cè)得某兩極之間的電阻值接近0Ω
，則說明該管已擊穿損壞。另外，還可以用觸發(fā)柵極（P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管用紅表筆觸發(fā) ，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā)）的方法來判斷場(chǎng)應(yīng)管是否損壞
。若觸發(fā)有效（觸發(fā)柵極G后
，D、S極之間的正 、反向電阻均變?yōu)?），則可確定該管性能良好。用吧三,1用10K檔,內(nèi)有15伏電池.可提供導(dǎo)通電壓.2因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管.3利用表筆對(duì)柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時(shí)需短路管腳或反充.4大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷.5大都封莊為字面對(duì)自已時(shí),左柵中漏右源 。

關(guān)于mos場(chǎng)效應(yīng)管判斷好壞和mos場(chǎng)效應(yīng)管工作原理的介紹到此就結(jié)束了 ，不知道你從中找到你需要的信息了嗎 ？如果你還想了解更多這方面的信息
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