mos管主要參數(shù)及使用注意事項

1.選用合適mos管場效應管在使用時要注意什么的輸入電壓規(guī)格;

2.選擇合適的功率 。為mos管場效應管在使用時要注意什么了使電源的壽命增長mos管場效應管在使用時要注意什么 ，建議選用多30%輸出功率額定的機種
。例如若系統(tǒng)需要一個100W的電源
，則建議挑選大于130W輸出功率額定的機種，以此類推可有效提升電源的壽命。

3.考慮負載特性 。如果負載是馬達 、燈泡或電容性負載 ，當開機瞬間時電流較大，應選用合適電源以免過載。如果負載是馬達時應考慮停機時電壓倒灌
。

4.此外尚需考慮電源的工作環(huán)境溫度
，及有無額外的輔助散熱設備，在過高的環(huán)溫電源需減額輸出。環(huán)溫對輸出功率的減額曲線

5.根據(jù)應用所需選擇各項功能mos管場效應管在使用時要注意什么： 保護功能mos管場效應管在使用時要注意什么：過電壓保護（OVP）
、過溫度保護（OAH ）、過負載保護（OLP）等 。 應用功能：信號功能（供電正常 、供電失效）、遙控功能
、遙測功能、并聯(lián)功能等
。 特殊功能 ： 功因矯正 （PFC） 、不斷電 （UPS）

6.選擇所需符合的安規(guī)及電磁兼容 （EMC） 認證。

開關電源是利用現(xiàn)代電力電子技術 ，控制開關管開通和關斷的時間比率
，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關電源一般由脈沖寬度調制（AH M）控制IC和MOSFET構成 。隨著電力電子技術的發(fā)展和創(chuàng)新 ，使得開關電源技術也在不斷地創(chuàng)新
。

場效應管的使用注意事項

MOS場效應管

即金屬-氧化物-半導體型場效應管mos管場效應管在使用時要注意什么
，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）mos管場效應管在使用時要注意什么，屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層mos管場效應管在使用時要注意什么 ，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015Ω） 。它也分N溝道管和P溝道管
，符號如圖1所示
。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導電方式的不同，MOSFET又分增強型
、耗盡型 。所謂增強型是指mos管場效應管在使用時要注意什么：當VAH =0時管子是呈截止狀態(tài) ，加上正確的VAH 后
，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強 ”了該區(qū)域的載流子 ，形成導電溝道
。耗盡型則是指，當VAH =0時即形成溝道
，加上正確的VAH 時，能使多數(shù)載流子流出溝道 ，因而“耗盡
”了載流子
，使管子轉向截止。

以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區(qū)N+和漏擴散區(qū)N+ ，再分別引出源極S和漏極D 。源極與襯底在內部連通
，二者總保持等電位。圖1（a）符號中的前頭方向是從外向電，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道
。當漏接電源正極 ，源極接電源負極并使VAH =0時
，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VAH 逐漸升高，受柵極正電壓的吸引 ，在兩個擴散區(qū)之間就感應出帶負電的少數(shù)載流子
，形成從漏極到源極的N型溝道，當VAH 大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時 ，N溝道管開始導通，形成漏極電流ID 。

國產N溝道MOSFET的典型產品有3DO1、3DO2 、3DO4（以上均為單柵管）
，4DO1（雙柵管）
。它們的管腳排列（底視圖）見圖2。

MOS場效應管比較“嬌氣” 。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小 ，極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電
，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞
。因此了廠時各管腳都絞合在一起 ，或裝在金屬箔內
，使G極與S極呈等電位，防止積累靜電荷。管子不用時 ，全部引線也應短接 。在測量時應格外小心
，并采取相應的防靜電感措施
。下面介紹檢測方法。

1．準備工作

測量之前，先把人體對地短路后 ，才能摸觸MOSFET的管腳 。最好在手腕上接一條導線與大地連通
，使人體與大地保持等電位
。再把管腳分開，然后拆掉導線。

2．判定電極

將萬用表撥于R×100檔 ，首先確定柵極 。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測量
，S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次 ，黑表筆接的為D極
，紅表筆接的是S極
。日本生產的3SK系列產品，S極與管殼接通 ，據(jù)此很容易確定S極。

3．檢查放大能力（跨導）

將G極懸空
，黑表筆接D極，紅表筆接S極 ，然后用手指觸摸G極
，表針應有較大的偏轉 。雙柵MOS場效應管有兩個柵極G1
、G2
。為區(qū)分之，可用手分別觸摸G1、G2極 ，其中表針向左側偏轉幅度較大的為G2極。

目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護二極管
，平時就不需要把各管腳短路了 。

VMOS場效應管

VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管
。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效 、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）
、驅動電流小（左右0.1μA左右） ，還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5a～100A） 、輸出功率高（1～250W）
、跨導的線性好、開關速度快等優(yōu)良特性 。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍） 、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用
。

眾所周知
，傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極
、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同 ，從圖1上可以看出其兩大結構特點:第一
，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性 。由于漏極是從芯片的背面引出 ，所以ID不是沿芯片水平流動
，而是自重摻雜N+區(qū)（源極S）出發(fā)，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū) ，最后垂直向下到達漏極D
。電流方向如圖中箭頭所示
，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層 ，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管 。

國內生產VMOS場效應管的主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠 、杭州電子管廠等
，典型產品有VN401
、VN672、VMAH 2等。表1列出六種VMOS管的主要參數(shù)
。其中，IRFPC50的外型如圖3所示。

下面介紹檢測VMOS管的方法 。

1．判定柵極G

將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻
。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大 ，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G極
，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。

2．判定源極S 、漏極D

由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結 ，因此根據(jù)PN結正
、反向電阻存在差異
，可識別S極與D極 。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻 ，此時黑表筆的是S極
，紅表筆接D極
。

3．測量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）

將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔 ，黑表筆接S極
，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。

由于測試條件不同 ，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些 。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管
，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）
。

4．檢查跨導

將萬用表置于R×1k（或R×100）檔 ，紅表筆接S極，黑表筆接D極
，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉 ，偏轉愈大
，管子的跨導愈高。

注意事項：

（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數(shù)產品屬于N溝道管 。對于P溝道管 ，測量時應交換表筆的位置
。

（2）有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護二極管
，本檢測方法中的1、2項不再適用。

（3）目前市場上還有一種VMOS管功率模塊，專供交流電機調速器 、逆變器使用 。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊 ，內部有N溝道
、P溝道管各三只
，構成三相橋式結構。

（4）現(xiàn)在市售VNF系列（N溝道）產品，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管 ，其最高工作頻率fp=120MHz
，IDSM=1A，PDM=30W ，共源小信號低頻跨導gm=2000μS
。適用于高速開關電路和廣播、通信設備中。

（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后 。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后
，最大功率才能達到30W

場效應晶體管

場效應晶體管(FET)簡稱場效應管，它屬于電壓控制型半導體器件 ，具有輸入電阻高（108～109Ω） 、噪聲小
、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象 、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點
，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者
。

場效應管分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管（JFET）因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名 。目前在絕緣柵型場效應管中 ，應用最為廣泛的是MOS場效應管
，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET）；此外還有PMOS
、NMOS和VMOS功率場效應管，以及最近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等
。

按溝道半導體材料的不同 ，結型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分
，場效應管又可分成耗盡型與增強型 。結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的 ，也有增強型的
。

場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類 。見附圖1
。

MOS場效應晶體管使用注意事項。

MOS場效應晶體管在使用時應注意分類
，不能隨意互換 。MOS場效應晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應注意以下規(guī)則：

1. MOS器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中 ，切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起，或用錫紙包裝

2.取出的MOS器件不能在塑料板上滑動
，應用金屬盤來盛放待用器件
。

3. 焊接用的電烙鐵必須良好接地。

4. 在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再MOS器件焊接完成后在分開 。

5. MOS器件各引腳的焊接順序是漏極 、源極
、柵極
。拆機時順序相反。

6.電路板在裝機之前 ，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子
，再把電路板接上去 。

7. MOS場效應晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護二極管
。在檢修電路時應注意查證原有的保護二極管是否損壞。

場效應管的測試 。

下面以常用的3DJ型N溝道結型場效應管為例解釋其測試方法：

3DJ型結型場效應管可看作一只NPN型的晶體三極管 ，柵極G對應基極b
，漏極D對應集電極c，源極S對應發(fā)射極e
。所以只要像測量晶體三極管那樣測PN結的正、反向電阻既可。把萬用表撥在R*100擋用黑表筆接場效應管其中一個電極 ，紅表筆分別接另外兩極
，當出現(xiàn)兩次低電阻時，黑表筆接的就是場效應管的柵極 。紅表筆接的就是漏極或源極
。對結型場效應管而言 ，漏極和源極可以互換。對于有4個管腳的結型場效應管
，另外一極是屏蔽極（使用中接地） 。

目前常用的結型場效應管和MOS型絕緣柵場效應管的管腳順序如圖2所示。

場效應晶體管的好壞的判斷
。

先用MF10型萬用表R*100KΩ擋（內置有15V電池），把負表筆（黑）接柵極（G） ，正表筆（紅）接源極（S）。給柵 、源極之間充電，此時萬用表指針有輕微偏轉 。再該用萬用表R*1Ω擋
，將負表筆接漏極（D），正表筆接源極（S） ，萬用表指示值若為幾歐姆
，則說明場效應管是好的
。

調試mos電路有哪些注意事項

什么是MOS管?它有什么注意事項?MOS管即MOSFETmos管場效應管在使用時要注意什么，中文名金屬氧化物半導體絕緣柵場效應管。與普通的晶體三極管相比mos管場效應管在使用時要注意什么 ，具有以下四個優(yōu)點
，即，輸入阻抗高
、開關速度快、熱穩(wěn)定性好 、電壓控制電流等 ，MOS管現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者 。

所有MOS集成電路(包括P溝道MOS
，N溝道MOS，互補MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵 ，以防止電壓擊穿
。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm
、50nm、80nm三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻 —— 二極管網絡進行保護
，雖然如此，器件內的保護網絡還不足以免除對器件的靜電損害(ESD) ，實驗指出，在高電壓放電時器件會失效
，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效 。

按損傷的嚴重程度靜電損害有多種形式，最嚴重的也是最容易發(fā)生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至于與電源端VDD GND短路或開路 ，器件完全喪失mos管場效應管在使用時要注意什么了原有的功能
。稍次一等嚴重的損害是出現(xiàn)斷續(xù)的失效或者是性能的退化
，那就更難察覺。還有一些靜電損害會使泄漏電流增加導致器件性能變壞 。

MOS管的定義

MOS管做為電壓驅動大電流型器件，在電路尤其是動力系統(tǒng)中大量應用 ，MOS管有一些特性在實際應用中是我們應該特別注意的MOS管體二極管
，又稱寄生二極管，在單個MOS管器件中有 ，在集成電路光刻中沒有
，這個二極管在大電流驅動中和感性負載時可以起到反向保護和續(xù)流的作用，一般正向導通壓降在0.7~1V左右
。

因為這個二極管的存在 ，MOS器件在電路中不能簡單地看到一個開關的作用
，比如充電電路中，充電完成 ，移除電源后，電池會反向向外部供電
，這個通常是我們不愿意看到的結果。

一般解決的方法是在后面增加一個二極管來防止反向供電，這樣雖然可以做到 ，但是二極管的特性決定必須有0.6~1V的正向壓降
，在大電流的情況下發(fā)熱嚴重，同時造成能源的浪費 ，使整機能效低下 。還有一個方法是再增加一個背靠背的MOS管
，利用MOS管低導通電阻來達到節(jié)能的目的，這一特性另一個常見的應用為低壓同步整流。

注意事項

MOS管導通后的無方向性 ，MOS在加壓導通后
，就類似于一根導線，只具有電阻特性 ，無導通壓降
，通常飽和導通電阻為幾到幾十毫歐，且無方向性 ，允許直流和交流電通過
。

使用MOS管的注意事項

1)為了安全使用MOS管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率
，最大漏源電壓 、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。

2)各類型MOS管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接入電路中 ，要遵守MOS管偏置的極性 。如結型MOS管柵源漏之間是PN結
，N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負偏壓，等等
。

3)MOS管由于輸入阻抗極高 ，所以在運輸
、貯藏中必須將引出腳短路
，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意 ，不能將MOS管放入塑料盒子內
，保存時最好放在金屬盒內，同時也要注意管的防潮 。

關于mos管場效應管在使用時要注意什么和mos場效應管應用的介紹到此就結束了 ，不知道你從中找到你需要的信息了嗎 ？如果你還想了解更多這方面的信息
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