mos管的主要應(yīng)用

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體 。 雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后 ，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）
。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET）
，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比 。 場效粗蘆應(yīng)管的名字也來源于它的輸入端（稱為gate）通過投影一個(gè)電場在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流
。事實(shí)上沒有電流流余哪過這個(gè)絕緣體 ，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作巖毀帶為GATE極下的絕緣體 。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管
，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）
。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。

mos管的作用

mos管的握殲盯作用：可應(yīng)用于放大電路 。由于MOS管放大器的輸入阻抗很高 ，因此耦合電容可以容量較小
，不必使用電解電容器
。很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換 ?？梢杂米骺勺冸娮?
。可以方便地用作恒流源。可以用作電子開關(guān) 。

MOS管為壓控元件，只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通 ，它的導(dǎo)通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣
，導(dǎo)通結(jié)的壓降最小，常說的精典是開關(guān)作用。去掉這個(gè)控制電壓經(jīng)就截止
。

MOS管即金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管 ，屬于場效應(yīng)晶體管中的絕緣柵型。因此
，MOS管有時(shí)被稱為場效應(yīng)管 。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路
。

MOS管的特性

開關(guān)特性。MOS管是壓控器件 ，作為開關(guān)時(shí)，NMOS只要滿足VgsVgs(th)即可導(dǎo)通
，PMOS只要滿足Vgs 。

開關(guān)損耗
。MOS的損耗主要包括開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通損耗是由于導(dǎo)通后存在導(dǎo)通電阻而產(chǎn)生的 ，導(dǎo)通電阻都很小。段和開關(guān)損耗是在MOS由可變電阻區(qū)進(jìn)入夾斷區(qū)的過程中
，MOS處于恒流改汪區(qū)時(shí)所產(chǎn)生的損耗 。開關(guān)損耗遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗
。減小損耗通常有兩個(gè)方法，一是縮短開關(guān)時(shí)間 ，二是降低開關(guān)頻率。

由壓控所導(dǎo)致的的開關(guān)特性 。由于制作工藝的限制
，NMOS的使用場景要遠(yuǎn)比PMOS廣泛，因此在將更適合于高端驅(qū)動的PMOS替換成NMOS時(shí)便出現(xiàn)了問題
。

在寬電壓的應(yīng)用場景中 ，柵極的控制電壓很多時(shí)候是不確定的
，為了保證MOS管的安全工作，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管來限制柵極的控制電壓。

mos管的作用什么

MOS管的作用 MOS管為壓控元件,你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通,它的導(dǎo)通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣,導(dǎo)通結(jié)的壓降最小.這就是常說的精典是開關(guān)作用.去掉這個(gè)控制電壓經(jīng)就截止. MOS管 MOS管的英文全稱悄或叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管
，屬于場效應(yīng)晶體管中的絕緣柵型 。因此，MOS管有時(shí)被稱為場效應(yīng)管。在一般電子電路中 ，MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路
。而在主板上的電源穩(wěn)壓電路中，MOSFET扮悄運(yùn)神演的角色主要是判斷電位
，它在主板上常用“Q ”加數(shù)字表示。 一、MOS管的作用是什么？ 目前主板或顯卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10個(gè)左右 ，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了 。由于MOS管主要是為配件提供穩(wěn)定的電壓
，所以它一般使用在CPU 、AGP插槽和內(nèi)存插槽附近
。其中在CPU與AGP插槽附近各安排一組MOS管，而內(nèi)存插槽則共用了一組MOS管 ，MOS管一般是以兩個(gè)組成一組的形式出現(xiàn)主板上的。 二、MOS管的性能參數(shù)有哪些？ 優(yōu)質(zhì)的MOS管能夠承受的電流峰值更高 。一般情況下我們要判斷主板上MOS管的質(zhì)量高低
，可以看它能承受的最大電流值
。影響MOS管質(zhì)量高低的參數(shù)非常多，像極端電流
、極端電壓等。但在MOS管上無法標(biāo)注這么多參數(shù) ，所以在MOS管表面一般只標(biāo)注了產(chǎn)品的型號
，我們可以根據(jù)該型號上網(wǎng)查找具體的性能參數(shù) 。 還要說明的是，溫度也是MOS管一個(gè)非常重要的性能參數(shù)
。主要包括環(huán)境溫度、管殼溫度 、貯成溫度等。由于CPU頻率的提高 ，MOS管需要承受的電流也隨著增強(qiáng)
，提供近百A的電流已經(jīng)很常見了 。如此巨大的電流通過時(shí)產(chǎn)生的熱量當(dāng)然使MOS管“發(fā)燒”了
。為了MOS管的安全，高品質(zhì)主板也開始為MOS管加裝散熱片了。 電感與MOS管是如何合作的？ 通過上面的介紹 ，我們知道MOS管對于整個(gè)供電系統(tǒng)起著穩(wěn)壓的作用，但是MOS管不能單獨(dú)使用
，它必須和電感線圈
、電容等共同組成的濾波穩(wěn)壓電路，才能發(fā)揮充分它的優(yōu)勢 。 主板上的AH M(Plus Width Modulator ，脈沖寬度調(diào)制器)芯片產(chǎn)啟虧生一個(gè)寬度可調(diào)的脈沖波形
，這樣可以使兩只MOS管輪流導(dǎo)通。當(dāng)負(fù)載兩端的電壓(如CPU需要的電壓)要降低時(shí)，這時(shí)MOS管的開關(guān)作用開始生效 ，外部電源對電感進(jìn)行充電并達(dá)到所需的額定電壓
。當(dāng)負(fù)載兩端的電壓升高時(shí)
，通過MOS管的開關(guān)作用，外部電源供電斷開 ，電感釋放出剛才充入的能量
，這時(shí)的電感就變成了“電源
”，繼續(xù)對負(fù)載供電。隨著電感上存儲能量的不斷消耗 ，負(fù)載兩端的電壓又開始逐漸降低
，外部電源通過MOS管的開關(guān)作用又要充電 。這樣循環(huán)不斷地進(jìn)行充電和放電的過程，從而形成一種穩(wěn)定的電壓 ，永遠(yuǎn)使負(fù)載兩端的電壓不會升高也不會降低
。

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